
[소부장반차장] 1c·V9 공정 전환 가속…신규 인프라 기획·글로벌 협력 동시 추진디지털데일리 소부장반차장 독자 여러분, 이번 주도 반차장이 반도체 업계의 중요한 이슈를 전해드립니다. <반차장보고서>에서는 이번 주에 놓쳐서는 안 되는 주요 뉴스들을 간결하게 풀어드리고 있습니다. 이번 주 핵심 이슈 함께 살펴보시죠. <편집자주>
삼성전자 평택 캠퍼스. [ⓒ 삼성전자]
[디지털데일리 배태용기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 전면 가동 체계를 다시 시동했습니다. 차세대 D램과 낸드플래시 공정 투자를 동시에 확대하며 'AI 전환기'를 정면 돌파하려는 움직임입니다. 여기에 내년 신규 인프라 투자 검토까지 착수한 것으로 알려지면서 메모리 중심에서 'AI 통합 팹' 중심으로의 구조 전환이 가속화되고 있습니다. 이러한 가운데 ASML 최고경영자(CEO)의 방한이 이어져 이목을 끕니다. 삼성·SK하이닉스 경영진 회동도 이어지며 글로벌 장비 공급망의 협력 구도 역시 빠르게 재편되고 있습니다.
◆ 평택 P4, 1c·V9 공정 중심으로 전면 재편
삼성전자는 최근 평택캠퍼스를 AI 반도체 생산 전용 허브로 재정비하고 있습니다. 업계에 따르면 삼성전자는 평택 기존 라인을 1c(7세대 10나노급) D램 및 HBM4 대응 공정으로 개조하며 풀가동 체계 구축에 나섰습니다. 상반기에는 1b 공정을 기반으로 3만장 규모 투자를 진행했고 10월부터는 1c 공정 장비 입고가 본격화된 것으로 전해졌습니다. 2026년 이후에는 2단계와 4단계로 확장해, 전체 라인의 AI 메모리 전환을 마무리할 계획입니다.
D램뿐 아니라 낸드 라인에서도 세대 교체가 진행 중입니다. 1단계에서는 9세대(V9) 3D 낸드 투자가 이뤄지고 있으며 중국 시안 팹에서도 같은 세대 전환이 병행됩니다. V9은 290단 이상을 적층한 초고적층 낸드로, AI 데이터센터용 SSD와 고속 캐시 스토리지 수요 대응이 목적입니다. 업계 관계자는 "1c D램과 V9 낸드는 각각 AI 학습용 HBM4, 추론용 SSD 수요와 맞물린다"며 "삼성의 평택 전면 전환은 AI 수요 폭증에 대한 선제 대응"이라고 평가했습니다.
◆ 내년 평택 신규 인프라 투자 검토 착수…'AI 통합 팹' 구상 본격화
이와 별개로 삼성전자는 내년 1분기 평택 신규 인프라 구축을 위한 초기 기획에도 착수할 예정입니다. 이번 검토에는 설계, 토목, 유틸리티 등 기반 인프라 설계가 포함되며, 기존보다 규모가 큰 '메가 팹(Mega Fab)' 형태가 유력합니다. 업계는 신규 인프라가 단순 D램 증설이 아닌 메모리와 파운드리를 결합한 복합 생산 거점으로 발전할 가능성에 주목하고 있습니다.
특히 HBM 적층 공정, 하이브리드 본딩, 실리콘 인터포저(CoWoS) 등 패키징 인프라를 결합해 AI용 GPU·메모리·패키징을 하나로 통합하는 'AI 풀스택 반도체 생태계'를 구축할 것으로 관측됩니다. 삼성은 이미 HBM과 파운드리를 동시에 보유한 유일한 기업으로, 신규 팹은 차세대 HBM4E·HBM5, DDR6 등 고대역폭·고용량 메모리 생산을 위한 장기 거점이 될 전망입니다.
삼성이 신규 인프라를 서두르는 이유는 AI 수요가 일시적 현상이 아니라 구조적 변화로 보기 때문입니다. 신규 팹은 단순 메모리 증설을 넘어, AI 반도체 전체를 통합하는 구조로 진화할 가능성이 큽니다.
[ⓒ연합뉴스]
◆ ASML CEO 방한…삼성·SK하이닉스와 차세대 EUV 협력 강화
이러한 투자가 이뤄지기 위한 또 다른 축은 '장비 협력'입니다. 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML의 크리스토프 푸케 CEO가 12일 경기 화성 ASML 캠퍼스 준공식 참석차 방한해 전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)과 곽노정 SK하이닉스 CEO를 각각 만나 차세대 협력 방안을 논의했습니다.
ASML은 EUV(극자외선) 노광 장비를 글로벌 반도체 제조사에 독점 공급하고 있으며 최근에는 고해상도 'High-NA EUV' 장비의 공급을 본격화했습니다. 삼성전자는 이미 평택과 화성에 High-NA 장비를 설치했고, SK하이닉스도 이천 M16 팹에 도입했습니다. 이 장비는 4나노 이하 초미세 회로 구현에 필수적이며 AI 반도체 생산 효율을 결정짓는 핵심 요소입니다.
ASML 화성캠퍼스는 EUV 장비 트레이닝센터와 부품 재제조센터를 갖춘 복합 시설로 향후 한국 내 EUV 유지보수 및 교육 거점 역할을 수행합니다. 푸케 CEO는 "화성캠퍼스는 한국 고객사와의 신뢰와 혁신을 상징하는 공간"이라며 "삼성전자와 SK하이닉스가 위치한 지역에 인접해 있어 기술 지원이 더욱 신속해질 것"이라고 밝혔습니다.
이번 주 반도체 업계의 움직임은 모두 하나의 방향으로 모입니다. 삼성전자는 평택캠퍼스 전면 전환과 신규 인프라 투자 검토를 통해 AI 중심 제조 체계를 강화하고 있으며 ASML과의 협력 확대는 초미세 공정 경쟁력을 한층 끌어올릴 기반이 되고 있습니다.
[디지털데일리 배태용기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 전면 가동 체계를 다시 시동했습니다. 차세대 D램과 낸드플래시 공정 투자를 동시에 확대하며 'AI 전환기'를 정면 돌파하려는 움직임입니다. 여기에 내년 신규 인프라 투자 검토까지 착수한 것으로 알려지면서 메모리 중심에서 'AI 통합 팹' 중심으로의 구조 전환이 가속화되고 있습니다. 이러한 가운데 ASML 최고경영자(CEO)의 방한이 이어져 이목을 끕니다. 삼성·SK하이닉스 경영진 회동도 이어지며 글로벌 장비 공급망의 협력 구도 역시 빠르게 재편되고 있습니다.
◆ 평택 P4, 1c·V9 공정 중심으로 전면 재편
삼성전자는 최근 평택캠퍼스를 AI 반도체 생산 전용 허브로 재정비하고 있습니다. 업계에 따르면 삼성전자는 평택 기존 라인을 1c(7세대 10나노급) D램 및 HBM4 대응 공정으로 개조하며 풀가동 체계 구축에 나섰습니다. 상반기에는 1b 공정을 기반으로 3만장 규모 투자를 진행했고 10월부터는 1c 공정 장비 입고가 본격화된 것으로 전해졌습니다. 2026년 이후에는 2단계와 4단계로 확장해, 전체 라인의 AI 메모리 전환을 마무리할 계획입니다.
D램뿐 아니라 낸드 라인에서도 세대 교체가 진행 중입니다. 1단계에서는 9세대(V9) 3D 낸드 투자가 이뤄지고 있으며 중국 시안 팹에서도 같은 세대 전환이 병행됩니다. V9은 290단 이상을 적층한 초고적층 낸드로, AI 데이터센터용 SSD와 고속 캐시 스토리지 수요 대응이 목적입니다. 업계 관계자는 "1c D램과 V9 낸드는 각각 AI 학습용 HBM4, 추론용 SSD 수요와 맞물린다"며 "삼성의 평택 전면 전환은 AI 수요 폭증에 대한 선제 대응"이라고 평가했습니다.
◆ 내년 평택 신규 인프라 투자 검토 착수…'AI 통합 팹' 구상 본격화
이와 별개로 삼성전자는 내년 1분기 평택 신규 인프라 구축을 위한 초기 기획에도 착수할 예정입니다. 이번 검토에는 설계, 토목, 유틸리티 등 기반 인프라 설계가 포함되며, 기존보다 규모가 큰 '메가 팹(Mega Fab)' 형태가 유력합니다. 업계는 신규 인프라가 단순 D램 증설이 아닌 메모리와 파운드리를 결합한 복합 생산 거점으로 발전할 가능성에 주목하고 있습니다.
특히 HBM 적층 공정, 하이브리드 본딩, 실리콘 인터포저(CoWoS) 등 패키징 인프라를 결합해 AI용 GPU·메모리·패키징을 하나로 통합하는 'AI 풀스택 반도체 생태계'를 구축할 것으로 관측됩니다. 삼성은 이미 HBM과 파운드리를 동시에 보유한 유일한 기업으로, 신규 팹은 차세대 HBM4E·HBM5, DDR6 등 고대역폭·고용량 메모리 생산을 위한 장기 거점이 될 전망입니다.
삼성이 신규 인프라를 서두르는 이유는 AI 수요가 일시적 현상이 아니라 구조적 변화로 보기 때문입니다. 신규 팹은 단순 메모리 증설을 넘어, AI 반도체 전체를 통합하는 구조로 진화할 가능성이 큽니다.
◆ ASML CEO 방한…삼성·SK하이닉스와 차세대 EUV 협력 강화
이러한 투자가 이뤄지기 위한 또 다른 축은 '장비 협력'입니다. 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML의 크리스토프 푸케 CEO가 12일 경기 화성 ASML 캠퍼스 준공식 참석차 방한해 전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)과 곽노정 SK하이닉스 CEO를 각각 만나 차세대 협력 방안을 논의했습니다.
ASML은 EUV(극자외선) 노광 장비를 글로벌 반도체 제조사에 독점 공급하고 있으며 최근에는 고해상도 'High-NA EUV' 장비의 공급을 본격화했습니다. 삼성전자는 이미 평택과 화성에 High-NA 장비를 설치했고, SK하이닉스도 이천 M16 팹에 도입했습니다. 이 장비는 4나노 이하 초미세 회로 구현에 필수적이며 AI 반도체 생산 효율을 결정짓는 핵심 요소입니다.
ASML 화성캠퍼스는 EUV 장비 트레이닝센터와 부품 재제조센터를 갖춘 복합 시설로 향후 한국 내 EUV 유지보수 및 교육 거점 역할을 수행합니다. 푸케 CEO는 "화성캠퍼스는 한국 고객사와의 신뢰와 혁신을 상징하는 공간"이라며 "삼성전자와 SK하이닉스가 위치한 지역에 인접해 있어 기술 지원이 더욱 신속해질 것"이라고 밝혔습니다.
이번 주 반도체 업계의 움직임은 모두 하나의 방향으로 모입니다. 삼성전자는 평택캠퍼스 전면 전환과 신규 인프라 투자 검토를 통해 AI 중심 제조 체계를 강화하고 있으며 ASML과의 협력 확대는 초미세 공정 경쟁력을 한층 끌어올릴 기반이 되고 있습니다.
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