삼성전자가 올 들어 연구개발(R&D)에 역대 최대 수준의 비용을 투입한 것으로 나타났다. 삼성전자는 올들어 부진한 경영실적 속 반도체 기술경쟁력 회복을 위해 쉽지 않은 한해를 보냈지만, 그 와중에도 미래를 위한 R&D에 총력을 기울인 셈이다. 삼성전자는 최근 고대역폭메모리(HBM) 등 미래 메모리 반도체 부문에서 다시 선도적인 기술 확보에 나서고 있는데, 이 같은 역대급 R&D를 토대로 시장 우위를 더욱 공고히 할 것으로 보인다.

17일 삼성전자 3분기 분기보고서에 따르면 삼성전자의 3분기 누계 R&D비는 26조8881억원으로, 역대 3분기(누적) 중 가장 높은 수준을 기록했다. 연간 R&D비 역대 최대치를 기록한 2024년 3분기 R&D비를 뛰어넘는 수치로, 올해 연간 R&D비도 지난해 수준을 경신할 가능성이 높아졌다.

삼성전자는 코로나 시기였던 2020년 이후 업·다운턴의 등락을 겪으면서도 R&D비를 꾸준히 늘려왔다. 실제로 R&D비는 2020년 21조2292억원에서 2024년 35조215억원까지 매년 증가 추세에 있다.

이에 힘입어 특허건수도 증가하고 있다. 올해 3분기 한국 특허건수는 7766건, 미국 특허건수는 7475건으로 올해 반기 기준으로 1만건에 가까운 특허를 등록하며 반기 기준 역대 최대치를 기록했다.

투자 확대는 성과로도 이어졌다. 올해 7월에는 영상디스플레이(VD) 부문에서는 세계 최초 마이크로 RGB TV·더 무빙스타일 신제품을 선보였고, 모바일경험(MX) 부문에서는 갤럭시 Z 폴드7과 갤럭시 Z 플립7 등 신제품을 선보였다.

반도체(DS) 부문에서는 올해 6월 업계 최선단 10나노급 6세대 D램을 양산했다. 전세대 대비 생산성은 30% 이상 향상됐고, 저전력 특성은 10% 개선된 점이 특징이다.

올해 초에는 업계 최고 수준인 최대 42.5Gbps 속도를 기록한 업계 최초 24Gb 그래픽스더블데이터레이트(GDDR)7 D램 양산을 시작했다. HBM4 또한 엔비디아에 샘플을 전달, 최근 엔비디아는 삼성전자가 HBM4 협력사라고 공식 발표하기도 했다.

앞서 삼성전자는 올해 직무발명보상제도를 개편하고, 특허 보상금을 최대 2배 인상해 혁신기술 개발을 장려한 바 있다. 해외 주요국에 모두 출원되는 A1 등급은 기존 100만원에서 150만원으로, 미국이나 중국에 출원하는 A2 등급은 50만원에서 100만원으로 올렸다.

아울러 지난해 삼성전자는 경기 용인 기흥캠퍼스에 10년 만에 약 3만3000평 규모의 차세대 R&D단지를 열었다. 이른바 ‘NRD-K(New Research&Development-K)’에 2030년까지 20조원을 투자한다는 계획이다. NRD-K는 메모리, 시스템반도체, 파운드리 등 반도체 전 분야의 차세대 기술 연구부터 제품 개발까지 담당하는 최첨단 반도체 연구시설로, 삼성 반도체의 두뇌 역할을 맡는다.

당시 삼성의 반도체 사업을 지휘하고 있는 전영현 부회장은 “NRD-K를 통해 차세대 반도체 기술의 근원적 연구부터 제품 양산에 이르는 선순환 체계를 확립해 개발 속도를 획기적으로 개선해 나갈 것”이라고 밝혔다. 삼성 반도체가 도약하기 위해 ‘기술 초격차’를 거듭 강조한 것이다.

2023년엔 반도체 생산 필수 장비인 극자외선(EUV) 노광장비를 독점 생산하는 ASML과 손잡고 1조원을 투자해 국내에 차세대 반도체 제조 기술 R&D센터를 짓기 위한 양해각서(MOU)를 체결하기도 했다. 최근 ASML이 경기도 화성에 재(再)제조센터(Repair Center), 심자외선(DUV)·EUV 트레이닝센터 등을 갖춘 캠퍼스를 개소한만큼, 양사의 공동 R&D센터도 한층 탄력이 붙을 것으로 예측된다. 박지영 기자